氮化鈦是一種新型多功能陶瓷材料。 在TiC-Mo-Ni系列金屬陶瓷中添加一定量的氮化鈦，硬質相晶粒明顯細化，陶瓷的理學性能無論在室溫還是高溫條件下均得到大幅改善，然后金屬陶瓷的高溫耐腐蝕性和抗氧化性大幅提高; 通過以一定比例向陶瓷中添加TiN粉末，可以提高陶瓷的強度、韌性、硬度; 將納米氮化鈦添加到TiN/Al2O3復相納米陶瓷中，通過機械混合法等各種方法均勻混合，在得到的含有納米氮化鈦粒子的陶瓷材料內部形成導電網絡。 這種材料可以作為電子部件應用于半導體工業。氮化鈦還可以作為金色涂料應用于首飾行業;可以作為替代WC的潛在材料，使材料的應用成本大幅度降低。寧波防銹氮化鈦檢測
表面涂層技術已成為提高材料抗疲勞和抗磨損性能的重要手段。許多零部件,例如刀具、齒輪和軸承等,通過表面涂層,改善接觸性能。但由于涂層制造過程中不可避免的缺陷以及涂層基體之間彈性參數不連續性,在接觸應力作用下涂層結構易產生裂紋,隨著裂紋的擴展,引起涂層的剝落而造成零件的失效。為滿足涂層結構在工程應用中的可靠性要求,需要研究在摩擦接觸條件下涂層結構的失效機理。本文主要完成了以下工作:1利用等離子輔助化學氣相沉積技術制備厚度為10μm的氮化鈦涂層,其基體為高速鋼。利用顯微硬度儀測量得到涂層的硬度約為2000HV4000HV,利用納米壓痕儀測量得到涂層的彈性模量和斷裂韌度分別為590GPa和3.30MPa·1/2m。劃痕法本質上屬于摩擦接觸問題,可通過掃描電鏡對涂層劃痕表面進行觀察與分析,結果表明在涂層表面產生了平均間距約為5.1μm弧形裂紋,同時測得涂層表面的摩擦系數約為0.25。蘇州 刀具氮化鈦加工中心氮化鈦涂層具有令人滿意的金黃色，作為代金裝飾材料具有很好的仿金、裝飾價值并有防腐、延長工藝品的壽命。
TiN薄膜因具有高硬度、低摩擦系數、高粘著強度、化學穩定性好、與鋼鐵材料的熱膨脹系數相近等優點而被廣泛應用于各個領域，特別是被用作高質量的切割工具,抗磨粒、磨蝕和磨損部件的表面工程材料。TiN薄膜以其制備工藝成熟穩定、價格低廉以及耐磨耐腐蝕特性好，而廣泛應用于切削工具和機械零件的硬質涂層保護膜。近年來，隨著科技的發展和工業的需求，TiN在MEMS、太陽能電池的背電極、燃料電池、納米生物技術、節能鍍膜玻璃等領域的應用都有相關的報道。
1. 為提高船用低速柴油機柱塞的耐磨性和柱塞偶件使用壽命，采用離子鍍技術與多弧磁控耦合鍍膜技術分別在柱塞上涂覆了TiN涂層和DLC涂層。利用掃描電鏡(SEM)、輪廓儀和X射線衍射儀(XRD)技術表征了TiN與DLC涂層的微觀形貌、表面粗糙度及物相組成，采用納米壓痕儀檢測了TiN與DLC涂層的納米硬度及彈性模量；運用劃痕法和壓痕法測試了TiN和DLC涂層的結合力，通過往復磨損試驗考察了這2種涂層在空氣中與在重柴油環境下的摩擦系數，同時結合光學顯微鏡定性評判TiN和DLC涂層磨損程度，通過臺架試驗評價了TiN涂層與DLC涂層柱塞的實際磨損情況。結果表明：這2種涂層晶體生長良好、結構連續致密，均未出現分層、開裂及剝離的現象，DLC涂層相對光滑，粗糙度Ra為0.10μm,而TiN涂層Ra為0.16μm; DLC涂層表面納米硬度、彈性模量及泊松比均高于TiN涂層；無論在空氣中還是重油環境下，TiN涂層摩擦系數均高于DLC涂層，耐磨性低于DLC涂層；臺架試驗后TiN涂層柱塞表面出現比較明顯的平行狀溝槽磨痕，而且整體磨損比較嚴重，而DLC涂層柱塞表面的磨痕非常窄并且淺，不易被發現，進一步證明DLC的耐磨損性能更優越。在上世紀70年代，氮化鈦涂層成功應用于刀具等切割加工工具上，促進了刀具加工行業的發展。
在鎂碳磚中添加一定量的TiN，可以明顯提高鎂碳磚的抗渣侵蝕性。1)氮化鈦是優良的結構材料，可用于蒸汽噴射推進器和火箭等。在軸承和密封圈領域也大量使用氮化鈦合金，強調了氮化鈦的應用效果。2)基于氮化鈦的優異導電性，可以制作各種電極和點接觸等材料。3)氮化鈦具有高超導臨界溫度，可作為優良的超導材料。4)氮化鈦熔點高于許多過渡金屬氮化物，密度低于許多金屬氮化物，是一種獨特的耐火材料。5)氮化鈦可以作為一種膜鍍在玻璃上，紅外反射率大于75%時，氮化鈦薄膜厚度大于90nm時，可以有效提高玻璃的保溫性能。另外，通過調整氮化鈦中的氮含量，可以改變氮化鈦薄膜的顏色，達到理想的美觀。氮化鈦生物兼容性高，可以應用于臨床醫學和口腔醫學方面。江蘇 刀具氮化鈦供應商
TiN有著誘人的金黃色、熔點高、硬度大、化學穩定性好、與金屬的潤濕小的結構材料、并具有導電性和超導性。寧波防銹氮化鈦檢測
在深亞微米(0.15μm及以下)集成電路制造中，后段工藝日趨重要，為降低阻容遲滯(RCDelay)，保證信號傳輸，減小功耗，有必要對后段工藝進行改進，Via阻擋層MOCVD(Metal-organicChemicalVaporDeposition，金屬有機物化學氣相淀積)TiN是其中重要研究課題之一。本論文基于薄膜電阻的理論分析，從厚度、雜質濃度和晶體結構三大薄膜電阻影響因素出發系統研究MOCVDTiN材料在平面薄膜上和真實結構中的各種性質，重點是等離子體處理(PlasmaTreatment，PT)下的晶體生長，制備循環次數的選擇對薄膜雜質濃度、晶體結構及電阻性能的影響，不同工藝薄膜在真實結構中物理形貌、晶體結構和電阻性能的表現和規律，超薄TiN薄膜(＜5nm)的實際應用等。俄歇能譜、透射電子顯微鏡和方塊電阻測試證明PT作用下雜質濃度降低，同時晶體生長，薄膜致密化而電阻率降低。PT具有飽和時間和深度，較厚薄膜需多循環制備以充分處理，發現薄膜厚度較小時(本實驗條件下為4nm)，增加循環次數雖然進一步降低了雜質濃度，但會引入界面而使薄膜電阻率增加。通過TEM觀測發現由于等離子體運動的各向異性，真實結構中PT效率在側壁遠低于頂部和底部，這導致側壁薄膜在PT后更厚。寧波防銹氮化鈦檢測
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