WS4603E：可調電流限制、電源分配開關
描述
WS4603E是一款具有高側開關和低導通電阻P-MOSFET的開關。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護電源。此外，WS4603E還集成了反向保護功能，當設備關閉時，可以消除開關上的任何反向電流流動。設備關閉時，輸出自動放電，使輸出電壓迅速關閉。熱關斷功能可以保護設備和負載。WS4603E采用SOT-23-5L封裝。標準產品無鉛且不含鹵素。
特性
1、輸入電壓范圍：2.5~5.5V
2、主開關RON：80mΩ@VIN=5V
3、調整電流限制范圍：0.4~2A（典型值）
4、電流限制精度：±20%
5、自動放電
6、反向阻斷（無“體二極管”）
7、過溫保護
應用
· USB外設
· USB Dongle
· USB 3G數據卡
· 3.3V或5V電源開關
· 3.3V或5V電源分配
安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷，可以提供樣品供您測試。如有關于WS4603E的進一步問題或需求，請隨時與我們聯系。我們期待與您合作，為您提供優異的產品和服務。 WS72358D-8/TR 運算放大器 封裝：DFN-8-EP(2x2)。規格書WILLSEMI韋爾WD1071VA
WNM2021：單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET
產品描述
WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的溝槽技術和設計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2021為無鉛產品。小型SOT-323封裝
產品特性：
· 溝槽技術
· 超高密度單元設計
· 出色的導通電阻
· 極低的閾值電壓
應用領域：
· DC/DC轉換器
· 電源轉換器電路
· 便攜式設備的負載/電源切換
WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進的溝槽技術和高密度單元設計使其在DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用中表現出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設備負載/電源切換的理想選擇。此外，WNM2021作為無鉛產品，符合環保要求。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD9261AWS72552S-8/TR 運算放大器 封裝：SOP-8。
WPM1483是一個單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。它采用了先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WPM1483為無鉛、無鹵素。
特性：
溝槽技術
超高密度單元設計
優異的ON電阻，適用于更高的直流電流
極低的閾值電壓
小型SOT-23封裝
應用：
繼電器、螺線管、電機、LED等的驅動器
DC-DC轉換器電路
電源開關
負載開關
充電應用
WPM1483是一款P溝道功率MOSFET，采用先進溝槽技術，具有低RDS(ON)和低柵極電荷，適用于高效、高可靠性電力管理應用。可承受-5A直流電流，極低閾值電壓降低功耗。小型SOT-23封裝，無鉛無鹵素，環保且易于集成。適用于DC-DC轉換、電源開關，驅動繼電器、電機等應用。詳情查閱手冊或聯系我們。
WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲（SPDT）CMOS模擬開關，專為總線切換或音頻切換應用設計。它具備高達400MHz的-3dB帶寬和低導通電阻（典型值為5.5Ω）。此外，其SEL引腳具有過壓保護功能，允許引腳上的電壓超過VCC，至高可達7.0V，而不會損壞部件或影響其操作，無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路，以至小化VCC泄漏電流，即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之，在實際應用中，無需額外的設備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標準的SOT-363(SC-70-6L)封裝，標準產品為無鉛和無鹵素。
特性：
· 電源電壓：1.5~5.5V
· 導通電阻：在VCC=4.5V時為5.5Ω-3dB
· 帶寬：在CL=5pF時為400MHz
· 斷開隔離度：在10MHz時為-69dB
· 低靜態電流：<1uA
· 先斷后合功能ESD保護：HBM為±8000V，MM為±600V
應用領域：
· 手機
· MID（移動互聯網設備）
· 其他便攜式設備
WAS3157B是一款功能強大且易于集成的模擬開關解決方案，適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設備。其優異的性能和多種保護功能使其成為現代電子設備中的理想選擇。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WL2805N33-3/TR 線性穩壓器（LDO）封裝：SOT-23-3L。
ESD5451N：雙向瞬態電壓保護神
ESD5451N是一款高效的雙向瞬態電壓抑制器，專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態電壓侵害而設計。它能承受高達±30kV的接觸和空氣放電，以及峰值脈沖電流達8A（8/20μs），為低速數據線和控制線提供強大的保護
這款抑制器采用DFN1006-2L封裝，具有無鉛和無鹵素等環保特性。其反向截止電壓為±5VMax，電容典型值為17.5pF，漏電流極低，典型值小于1nA。此外，其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩定的電壓輸出。
ESD5451N適用于多種應用場景，包括手機、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設備，以及網絡通信設備等。其出色的瞬態電壓抑制能力和穩定性，為電子設備提供了可靠的保障。
安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷，可以提供樣品供您測試。如有關于ESD5451N的進一步問題或需求，請隨時與我們聯系。我們期待與您合作，為您提供優異的產品和服務。 WL2815D33-4/TR 線性穩壓器(LDO) 封裝：XDFN-4-EP(1x1)。規格書WILLSEMI韋爾ESD56241D20
WS3222D-8/TR 功率電子開關 封裝：WDFN-8-EP(2x2)。規格書WILLSEMI韋爾WD1071VA
ESD5451X是一款雙向瞬態電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到低速數據線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據IEC61000-4-2標準，ESD5451X可提供高達±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并可根據IEC61000-4-5標準承受高達8A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5451X采用FBP-02C封裝。標準產品為無鉛、無鹵素。
特點：
· 反向截止電壓：±5V
· 根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態保護：±30kV（接觸和空氣放電）
· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）
· IEC61000-4-5（浪涌）：8A（8/20μs）
· 電容：CJ=17.5pFtyp
· 低漏電流：IR<1nAtyp
· 低鉗位電壓：VCL=9Vtyp.@IPP=16A（TLP）
· 固態硅技術
應用：
· 手機
· 平板
· 電腦
· 筆記本電腦
· 其他便攜式設備
· 網絡通信設備
ESD5451X是高性能瞬態電壓抑制器，保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬態和雷電等過應力影響。適用于手機、平板、筆記本等便攜式設備，雙向保護，應對極端電氣環境。低漏電流、低鉗位電壓，不影響設備正常工作。固態硅技術，穩定可靠。各方面保護現代電子設備，消費者和制造商的理想選擇。詳情查閱手冊或聯系我們。 規格書WILLSEMI韋爾WD1071VA