ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態電壓抑制器
產品描述
ESD5311Z是一款極低電容的瞬態電壓抑制器（TVS），專為保護高速數據接口而設計。它特別針對連接到數據和傳輸線的敏感電子組件，以防止因靜電放電（ESD）而產生的過應力。ESD5311Z包含一個極低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，ESD5311Z可用于提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。
產品特性
截止電壓：5V
每條線路根據IEC61000-4-2（ESD）標準進行瞬態保護：±20kV（接觸放電）
根據IEC61000-4-4（EFT）標準進行瞬態保護：40A（5/50ns）
根據IEC61000-4-5（浪涌）標準進行瞬態保護：4A（8/20μs）
極低電容：CJ=0.25pF（典型值）
極低漏電流：IR<1nA（典型值）
低鉗位電壓：VCL=21V（典型值）@IPP=16A（TLP）
應用領域
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便攜式電子設備
筆記本電腦
ESD5311Z專為高速數據接口設計，極低電容，出色保護，防止靜電放電損害。適用于USB、HDMI等接口，保護敏感組件。緊湊封裝，適合便攜式設備。詳情查閱手冊或聯系我們。 WL2815D18-4/TR 線性穩壓器韋爾 封裝:X2-DFN1010-4-EP。代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD84152C
WS4665是一個單通道負載開關，提供可配置的上升時間以極小化涌流。該設備包含一個N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內工作，并支持連續電流上線為6A。開關由開/關輸入（ON）控制，該輸入能夠直接與低電壓控制信號接口。在WS4665中，增加了一個230Ω的片上負載電阻，用于在開關關閉時進行快速輸出放電。WS4665采用小型、節省空間的2.00mmx2.00mm8引腳DFN封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。
主要特性：
· 集成單通道負載開關
· 輸入電壓范圍：0.8V至5.5V
· 極低導通電阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)
· 連續開關上限電流為6A
· 低控制輸入閾值，支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯
· 可配置的上升時間
· 快速輸出放電（QOD）
· ESD性能經過JESD22測試2000VHBM和1000VCDM
應用領域：
· 超極本TM
· 筆記本電腦/上網本
· 平板電腦
· 消費電子產品
· 機頂盒/住宅網關
· 電信系統
WS4665適用于多種應用場合，如超極本、筆記本電腦/上網本、平板電腦、消費電子產品、機頂盒/住宅網關以及電信系統等。如需更多信息或技術規格，請查閱相關數據手冊或與我們聯系。 規格書WILLSEMI韋爾WPT2N46WL2803K33-5/TR 線性穩壓器(LDO) 封裝：SOT-89-5。
WNMD2171雙N溝道、20V、6.0A功率MOSFET
產品描述：
WNMD2171是一款雙N溝道增強型MOSFET場效應晶體管。這款MOSFET的特殊設計使得在電路板上連接其漏極變得不必要，因為MOSFET1和MOSFET2的漏極是內部連接的。該產品采用先進的溝槽技術和設計，提供了出色的導通電阻（RSS(ON)）和低柵極電荷。這款器件專為鋰離子電池保護電路而設計。WNMD2171采用CSP-4L封裝。標準產品WNMD2171是無鉛和無鹵素的。小型CSP4L封裝。
產品特性：
· 溝槽技術
· 超高密度單元設計
· 出色的導通電阻
· 極低的閾值電壓
應用領域：
· 鋰離子電池保護電路
WNMD2171是一款采用先進技術的雙N溝道MOSFET，特別適用于鋰離子電池保護電路。其內部連接的漏極設計簡化了電路布局，而優異的導通電阻和極低的閾值電壓則提供了高效的電池管理。這款產品的小型CSP-4L封裝使其成為空間受限應用中的理想選擇。此外，其無鉛和無鹵素的特點也符合現代環保標準。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。
RB521S30肖特基勢壘二極管
特性：小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件
應用：低電流整流
介紹：
RB521S30是一款肖特基勢壘二極管，它具有一系列出色的特性，使其在各種應用中表現優異。首先，其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環境中也能輕松安裝，同時確保了高效的熱量散發。其次，高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩定的性能，減少了維護和更換的頻率。
此外，低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關鍵特性，它允許在較低的電壓下實現高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現出色，如某些電子設備中的電源管理部分。
值得注意的是，RB521S30是無鉛器件，符合現代環保標準。隨著全球對環保意識的日益增強，無鉛器件已成為許多行業的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時，也符合了環保要求。
總的來說，RB521S30肖特基勢壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無鉛環保等特性，成為低電流整流應用中的理想選擇。無論是電子設備制造商還是電路設計工程師，都能從中受益。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 SPD9105W-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-323。
ES9DN12BA瞬態電壓抑制器
ES9DN12BA是一款瞬態電壓抑制器（TVS），專為保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應力影響而設計。封裝與環保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。
特性：
· 截止電壓：±12V。
· 按照IEC61000-4-2標準的ESD保護：±30kV（接觸放電）
· 按照IEC61000-4-5標準的浪涌保護：5.5A（8/20μs）
· 典型電容：CJ=27pF
· 極低泄漏電流：IR=0.1nA
· 低鉗位電壓：在IPP=16A（TLP）時，VCL=20V。
· 固態硅技術：確保器件性能穩定和長壽命。
應用：
· 計算機及其外設：如鍵盤、鼠標、顯示器等。
· 手機
· 便攜式電子設備
· 筆記本電腦
ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬態電壓抑制器，專為保護敏感電子元件免受靜電和電氣瞬變的影響而設計。其優異的保護能力、緊湊的封裝和環保特性使其成為各種電子設備制造商的理想選擇。無論是計算機、手機還是便攜式電子設備，ES9DN12BA都能提供強大的保護，確保設備的穩定性和可靠性。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WL2803E18-5/TR 線性穩壓器(LDO) 封裝：SOT-23-5L。規格書WILLSEMI韋爾WCL058N10DN
WD3133E-5/TR DC-DC電源芯片 封裝：SOT-23-5L。代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD84152C
WL2801E是一款優異的低噪聲、高PSRR（電源抑制比）以及高速CMOSLDO（低壓差線性穩壓器）。其高精度與出色的性能，使其在手機、筆記本電腦以及其他便攜式設備中表現出色，為用戶提供了前所未有的性價比體驗。這款設備不僅具有出色的限流折回電路，能夠同時作為短路保護和輸出電流限制器，而且采用標準的SOT-23-5L封裝，確保產品的環保性和安全性。
WL2801E的主要特性包括寬輸入電壓范圍（2.7V~5.5V）、靈活的輸出電壓范圍（1.2V~3.3V）、以及高達300mA的輸出電流能力。其高達75dB的PSRR在217Hz下表現出色，確保了電源噪聲的有效抑制。此外，其低dropout電壓（170mV@IOUT=200mA）和極低靜態電流（70μA）使得它在低功耗應用中表現突出。
這款產品的應用領域較廣，包括MP3/MP4播放器、手機、無線電話、數碼相機、藍牙和無線手持設備以及其他便攜式電子設備。無論是對于追求高性能的設計師，還是對于尋求成本效益的生產商，WL2801E都是理想的選擇。
安美斯科技專注于國產電子元器件的代理分銷，并可以提供樣品。這體現了我們對產品質量的自信和對客戶需求的深入理解。選擇安美斯科技，您將獲得優異的產品和服務。 代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD84152C