ESDA6V8AV6靜電放電（ESD）保護的瞬態電壓抑制器
產品描述：
ESDA6V8AV6是一款五線路的ESD瞬態電壓抑制器，為可能受到靜電放電（ESD）影響的敏感電子組件提供了極高的保護水平。對于正瞬態，這些設備將電壓鉗制在邏輯電平供電之上；對于負瞬態，則鉗制在低于地的二極管壓降。ESDA6V8AV6能夠安全地消散±20kV的ESD沖擊，超過了IEC61000-4-2國際標準的至高上限要求。使用MILSTD-883（方法3015）中的人體模型（HBM）ESD規格，該設備為大于±16kV的接觸放電提供了保護。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封裝，工作電壓為5伏特。
規格特性：
· 工作峰值反向電壓：5V
· 低漏電流：<1uA@3V
· 高ESD保護水平：每HBM>20kV
· IEC61000-4-2四級ESD保護
· IEC61000-4-4四級EFT保護
· 五種單獨的單向配置
機械特性：
· 無空洞、轉移模制、熱固性塑料外殼
· 耐腐蝕表面，易于焊接
應用領域：
· 手機和配件
· 個人數字助理（PDA）
· 筆記本電腦、臺式機和服務器
· 便攜式儀器
· 數碼相機
· 外設MP3播放器
ESDA6V8AV6是五線路ESD保護器，保護電子組件免受靜電放電影響。具有強ESD保護和低漏電流，能承受±20kV沖擊。符合電磁兼容性標準，適用于手機、筆記本等便攜式設備。詳情查閱手冊或聯系我們。 WD1033E-5/TR DC-DC電源芯片 封裝：SOT-23-5L。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5451N
RB521C30：肖特基勢壘二極管
· 重復峰值反向電壓 VRM 30 V
· 直流反向電壓 VR 30 V
· 平均整流正向電流 IO 100 mA
產品特性：
100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩定電流處理的電路中表現出色。
低正向電壓：肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。
低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關閉或待機狀態下減少不必要的功耗。
小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應用中使用，如便攜式設備和小型電路板。
應用領域：
RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應用。在電路中，它能夠將交流信號轉換為直流信號，這對于許多電子設備來說都是至關重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性，它特別適用于需要高效能和低功耗的場合，如電池供電的設備或需要長時間運行的系統。此外，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應用的理想選擇。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2862KESD5451Z-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN0603-2L。
ESD5311N：單線、雙向、低電容瞬態電壓抑制器。
ESD5311N是一款低電容的瞬態電壓抑制器（TVS），專為保護高速數據接口而設計。它特別針對連接到數據和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。其內部包含一個低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝，為標準產品，無鉛且不含鹵素。
其主要特性包括：截止電壓：5V，根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態保護：±20kV（接觸放電），根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態保護：4A（8/20μs），低電容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏電流：IR < 1nA（典型值），低箝位電壓：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固態硅技。
應用領域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便攜式電子設備，筆記本電腦。
ESD5311N為高速數據接口提供了出色的靜電放電保護，適用于高數據傳輸和嚴格ESD防護應用。如有進一步問題或需求，請隨時與我們聯系。我們期待與您合作，為您提供優異的產品和服務。
WNMD2171雙N溝道、20V、6.0A功率MOSFET
產品描述：
WNMD2171是一款雙N溝道增強型MOSFET場效應晶體管。這款MOSFET的特殊設計使得在電路板上連接其漏極變得不必要，因為MOSFET1和MOSFET2的漏極是內部連接的。該產品采用先進的溝槽技術和設計，提供了出色的導通電阻（RSS(ON)）和低柵極電荷。這款器件專為鋰離子電池保護電路而設計。WNMD2171采用CSP-4L封裝。標準產品WNMD2171是無鉛和無鹵素的。小型CSP4L封裝。
產品特性：
· 溝槽技術
· 超高密度單元設計
· 出色的導通電阻
· 極低的閾值電壓
應用領域：
· 鋰離子電池保護電路
WNMD2171是一款采用先進技術的雙N溝道MOSFET，特別適用于鋰離子電池保護電路。其內部連接的漏極設計簡化了電路布局，而優異的導通電阻和極低的閾值電壓則提供了高效的電池管理。這款產品的小型CSP-4L封裝使其成為空間受限應用中的理想選擇。此外，其無鉛和無鹵素的特點也符合現代環保標準。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 ESD5305F-6/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOT-23-6。
WNM2030是一種N型增強型MOS場效應晶體管，采用先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2030為無鉛產品。小型SOT-723封裝。
主要特性：
· 溝槽技術
· 超高密度單元設計
· 優異的開啟電阻
· 極低的閾值電壓
應用領域：
· DC/DC轉換器
· 電源轉換器電路
· 便攜式設備的負載/電源切換
WNM2030是專為現代電子系統電源管理設計的高性能MOS場效應晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉換、電源開關和充電電路中表現出色。采用先進溝槽技術，提供高密度和低功耗。快速開關操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設備，且無鉛設計滿足環保要求。WNM2030為現代電源管理提供高效、可靠和環保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WS72412S-8/TR 運算放大器 封裝：SOIC-8。代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4667D
ESD9X5VU-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：FBP-02C。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5451N
ESD5304D是一個專為保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件免受靜電放電（ESD）引起的過應力而設計的極低電容瞬態電壓抑制器（TVS）陣列。它結合了四對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管，旨在提供優異的ESD保護。
特性：
· 截止電壓：5V
· 根據IEC61000-4-2標準的每線瞬態保護：±20kV（接觸放電）
· 根據IEC61000-4-4標準的EFT保護：40A（5/50ns）
· 根據IEC61000-4-5標準的浪涌保護：4A（8/20μs）
· 極低電容：CJ=0.4pF（典型值）
· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）
· 低箝位電壓：VCL=14V（典型值）@IPP=16A（TLP）
· 固態硅技術
應用：
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便攜式電子產品
· 筆記本電腦
ESD5304D是專為高速數據接口設計的瞬態電壓抑制器，保護接口免受靜電放電和其他瞬態事件損害。利用先進固態硅技術，結合極低電容轉向二極管和TVS二極管，提供優異保護。能承受±20kV接觸放電和其他瞬態事件。極低電容和漏電流不影響數據傳輸。適用于USB、HDMI、SATA等接口，是電子設備中的關鍵保護組件。小巧封裝且環保，易于集成。如需更多信息，請查閱數據手冊或聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD5451N