浙江EVG820鍵合機

二、EVG501晶圓鍵合機特征：帶有150mm或200mm加熱器的鍵合室獨特的壓力和溫度均勻性與EVG的機械和光學對準器兼容靈活的設計和研究配置從單芯片到晶圓各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）可選渦輪泵（<1E-5mbar）可升級陽極鍵合開放式腔室設計，便于轉換和維護兼容試生產需求：同類產品中的蕞低擁有成本開放式腔室設計，便于轉換和維護蕞小占地面積的200mm鍵合系統：0.8㎡程序與EVGHVM鍵合系統完全兼容以上產品由岱美儀器供應并提供技術支持。 晶圓鍵合系統EVG501是適用于學術界和工業研究的多功能手動晶圓鍵合機。浙江EVG820鍵合機

目前關于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結構的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現表面帶有微結構硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環境要求苛刻的問題。在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發生流動、互融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當金層發生氧化時就會影響鍵合質量。MEMS鍵合機鍵合精度EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合。

鍵合機特征高真空，對準，共價鍵合 在高真空環境（<5·10-8mbar）中進行處理 原位亞微米面對面對準精度 高真空MEMS和光學器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優異的表面性能 導電鍵合 室溫過程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無應力鍵合界面 高鍵合強度 用于HVM和R＆D的模塊化系統 多達六個模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動化 技術數據 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個，蕞/大6個 加載：手動，卡帶，EFEM 可選的過程模塊： 鍵合模塊 ComBond®基活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對準模塊（VAM） 晶圓直徑 高達200毫米

EVG鍵合機加工結果除支持晶圓級和先進封裝，3D互連和MEMS制造外，EVG500系列晶圓鍵合機（系統）還可用于研發，中試或批量生產。它們通過在高真空，精確控制的準確的真空，溫度或高壓條件下鍵合來滿足各種苛刻的應用。該系列擁有多種鍵合方法，包括陽極，熱壓縮，玻璃料，環氧樹脂，UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨特的模塊化鍵合室設計，可實現從研發到大批量生產的簡單技術轉換。 模塊設計 各種鍵合對準（對位）系統配置為各種MEMS和IC應用提供了多種優勢。使用直接（實時）或間接對準方法可以支持大量不同的對準技術。同時，EVG研發生產的的GEMINI系統是使用晶圓鍵合的量產應用的行業標準。

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點，以其作為中間鍵合介質層，通過加熱熔融產生金屬—半導體共晶相來實現。因此，中間介質層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質量。中間金屬鍵合介質層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質層進 行表面有微結構的硅—硅共晶鍵合技術的研究。而金層與 硅襯底的結合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結層增強金層與硅襯底的結合力，同時鈦也具有阻擋擴散層的作用， 可以阻止金向硅中擴散［10，11］。 EVG鍵合機支持全系列晶圓鍵合工藝，這對于當今和未來的器件制造是至關重要。MEMS鍵合機鍵合精度

EVG的GEMINI FB XT集成熔融鍵合系統，擴展了現有標準，并擁有更高的生產率，更高的對準和涂敷精度。浙江EVG820鍵合機

BONDSCALE?自動化生產熔融系統啟用3D集成以獲得更多收益特色技術數據EVGBONDSCALE?自動化生產熔融系統旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應用，包括工程化的基板制造和使用層轉移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG將晶片鍵合應用于前端半導體處理中，并幫助解決內部設備和系統路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴展的長期挑戰。結合增強的邊緣對準技術，與現有的熔融鍵合平臺相比，BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產率，并降低了擁有成本（CoO）。浙江EVG820鍵合機