江西CMOS鍵合機

EVG®850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技術進行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應用生產系統可在高通量，高產量環境中運行盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機械平整或缺口對準的預鍵合先進的遠程診斷技術數據：晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動盒帶到盒帶操作預鍵合室對準類型：平面到平面或凹口到凹口對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°結合力：ZUI高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） EVG501鍵合機：桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動鍵合和數據記錄。江西CMOS鍵合機

二、EVG501晶圓鍵合機特征：帶有150mm或200mm加熱器的鍵合室獨特的壓力和溫度均勻性與EVG的機械和光學對準器兼容靈活的設計和研究配置從單芯片到晶圓各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）可選渦輪泵（<1E-5mbar）可升級陽極鍵合開放式腔室設計，便于轉換和維護兼容試生產需求：同類產品中的蕞低擁有成本開放式腔室設計，便于轉換和維護蕞小占地面積的200mm鍵合系統：0.8㎡程序與EVGHVM鍵合系統完全兼容以上產品由岱美儀器供應并提供技術支持。 青海鍵合機質保期多久在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機可以在真空下執行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。

表面帶有微結構硅晶圓的界面已受到極大的損傷，其表面粗糙度遠高于拋光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有時甚至可以達到 1 μm 以上。金硅共晶鍵合時將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間，加熱至稍高于金—硅共晶點的溫度，即 363 ℃ ， 金硅混合物從預鍵合的硅片中奪取硅原子，達到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態，冷卻后形成良好的鍵合［12，13］。而光刻、深刻蝕、清洗等工藝帶來的雜質對于金硅二相系的形成有很大的影響。以表面粗糙度極高且有雜質的硅晶圓完成鍵合，達到既定的鍵合質量成為研究重點。

EVG®850TB 自動化臨時鍵合系統 全自動將臨時晶圓晶圓鍵合到剛性載體上特色技術數據 全自動的臨時鍵合系統可在一個自動化工具中實現整個臨時鍵合過程-從臨時鍵合劑的施加，烘焙，將設備晶圓與載體晶圓的對準和鍵合開始。與所有EVG的全自動工具一樣，設備布局是模塊化的，這意味著可以根據特定過程對吞吐量進行優化。可選的在線計量模塊允許通過反饋回路進行全過程監控和參數優化。 由于EVG的開放平臺，因此可以使用不同類型的臨時鍵合粘合劑，例如旋涂熱塑性塑料，熱固性材料或膠帶。EVG鍵合機跟應用相對應，鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。

EVG&reg;850DB自動解鍵合機系統全自動解鍵合，清潔和卸載薄晶圓特色技術數據在全自動解鍵合機中，經過處理的臨時鍵合晶圓疊層被分離和清洗，而易碎的設備晶圓始終在整個工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光，熱剝離和機械剝離。使用所有解鍵合方法，都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設備晶圓。特征在有形和無形的情況下，都能可靠地處理變薄的、彎曲和翹曲的晶片自動清洗解鍵合晶圓程序控制系統實時監控和記錄所有相關過程參數自動化工具中完全集成的SECS/GEM界面適用于不同基板尺寸的橋接工具功能模塊化的工具布局→根據特定工藝優化了產量技術數據晶圓直徑（基板尺寸）高達300毫米高達12英寸的薄膜面積組態解鍵合模塊清潔模塊薄膜裱框機選件ID閱讀多種輸出格式高形貌的晶圓處理翹曲的晶圓處理 EVG鍵合機的鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。絕緣體上的硅鍵合機值得買

EVG鍵合機可使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。江西CMOS鍵合機

臨時鍵合系統：臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程，這對于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導體）非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術在其臨時鍵合設備中得到充分體現，該設備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號：EVG805解鍵合系統；EVG820涂敷系統；EVG850TB臨時鍵合系統；EVG850DB自動解鍵合系統。 江西CMOS鍵合機