在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時，Polos 光刻機(jī)的亞微米級定位精度（±50nm）確保了圖案的均勻復(fù)制。某光電實(shí)驗(yàn)室使用該設(shè)備，在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列，模板的圖案保真度達(dá) 99.8%，邊緣缺陷率低于 0.1%。基于此模板生產(chǎn)的柔性 OLED 背光模組，亮度均勻性提升至 98%，厚度減至 50μm，成功應(yīng)用于下一代折疊屏手機(jī)，相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給三家面板制造商。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。Polos-BESM 光刻機(jī)：無掩模激光直寫，50nm 精度，支持金屬 / 聚合物同步加工，適配第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)。江蘇POLOSBEAM-XL光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

Polos光刻機(jī)與弗勞恩霍夫ILT的光束整形技術(shù)結(jié)合，可定制激光輪廓以優(yōu)化能量分布，減少材料蒸發(fā)和飛濺，提升金屬3D打印效率7。這種跨領(lǐng)域技術(shù)融合為工業(yè)級微納制造（如光學(xué)元件封裝）提供新思路，推動智能制造向高精度、低能耗方向發(fā)展Polos系列broad兼容AZ、SU-8等光刻膠，通過優(yōu)化曝光參數(shù)（如能量密度與聚焦深度）實(shí)現(xiàn)不同材料的高質(zhì)量加工。例如，使用AZ5214E時，可調(diào)節(jié)光束強(qiáng)度以減少側(cè)壁粗糙度，提升微結(jié)構(gòu)的功能性。這一特性使其在生物相容性器件（如仿生傳感器）中表現(xiàn)outstanding26。吉林BEAM-XL光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模快速自動對焦：閉環(huán)對焦系統(tǒng)1秒完成，多層半自動對準(zhǔn)提升實(shí)驗(yàn)效率。

SPS POLOS 以桌面化設(shè)計(jì)降低設(shè)備投入成本，無需掩膜制備費(fèi)用。其光束引擎通過壓電驅(qū)動快速掃描，單次寫入?yún)^(qū)域達(dá)400 m，支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示，該設(shè)備成功制備了間距3 m的微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗(yàn)證。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。

德國 Polos 光刻機(jī)系列以其緊湊的設(shè)計(jì)，在有限的空間內(nèi)發(fā)揮著巨大作用。對于研究實(shí)驗(yàn)室，尤其是空間資源緊張的高校和初創(chuàng)科研機(jī)構(gòu)來說，設(shè)備的空間占用是重要考量因素。Polos 光刻機(jī)占用空間小的特點(diǎn)，使其能夠輕松融入各類實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。 盡管體積小巧，但它的性能卻毫不遜色。無掩模激光光刻技術(shù)保障了高精度的圖案制作，低成本的優(yōu)勢降低了科研投入門檻。在小型實(shí)驗(yàn)室中，科研人員使用 Polos 光刻機(jī)，在微流體、電子學(xué)等領(lǐng)域開展研究，成功取得多項(xiàng)成果。從微納結(jié)構(gòu)制造到新型器件研發(fā)，Polos 光刻機(jī)證明了小空間也能蘊(yùn)藏大能量，為科研創(chuàng)新提供有力支持。德國技術(shù)基因：融合精密光學(xué)與自動化控制，確保設(shè)備高穩(wěn)定性與長壽命。

石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉(zhuǎn)移，Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問題。某納米電子實(shí)驗(yàn)室在 SiO基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場效應(yīng)晶體管，其電子遷移率達(dá) 2×10 cm/(Vs)，接近理論極限。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié)，使器件研發(fā)效率提升 5 倍，相關(guān)成果推動二維材料在柔性電子、量子計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用研究進(jìn)入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。柔性電子：曲面 OLED 驅(qū)動電路漏電降 70%，彎曲半徑達(dá) 1mm，適配可穿戴設(shè)備。重慶BEAM-XL光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

客戶認(rèn)可：全球 500 + 客戶滿意度達(dá) 98%，復(fù)購率 75%，技術(shù)支持響應(yīng)時間 < 2 小時。江蘇POLOSBEAM-XL光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

一家專注于再生醫(yī)學(xué)的科研公司在組織工程支架的研究上，使用德國 Polos 光刻機(jī)取得remarkable成果。組織工程支架需要具備特定的三維結(jié)構(gòu)，以促進(jìn)細(xì)胞的生長和組織的修復(fù)。Polos 光刻機(jī)能夠根據(jù)預(yù)先設(shè)計(jì)的三維模型，在生物可降解材料上精確制造出復(fù)雜的孔隙結(jié)構(gòu)和表面圖案。通過該光刻機(jī)制造的支架，在動物實(shí)驗(yàn)中表現(xiàn)出優(yōu)異的細(xì)胞黏附和組織生長引導(dǎo)能力。與傳統(tǒng)制造方法相比，使用 Polos 光刻機(jī)生產(chǎn)的支架，細(xì)胞在其上的增殖速度提高了 50%，為組織工程和再生醫(yī)學(xué)的臨床應(yīng)用提供了有力支持。江蘇POLOSBEAM-XL光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米