某集成電路實驗室利用 Polos 光刻機開發了基于相變材料的存算一體芯片。其激光直寫技術在二氧化硅基底上實現了 100nm 間距的電極陣列，器件的讀寫速度達 10ns，較傳統 SRAM 提升 100 倍。通過在電極間集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相變材料，芯片實現了計算與存儲的原位融合，能效比達 1TOPS/W，較傳統馮諾依曼架構提升 1000 倍。該技術被用于邊緣計算設備，使圖像識別延遲從 50ms 縮短至 5ms，相關芯片已進入小批量試產階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。德國 SPS Polos：深耕微納加工 35 年，專注半導體與生命科學領域，全球布局 6 大技術中心，服務 500 + 科研機構。黑龍江德國POLOS光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米
Polos光刻機與德國Lab14集團、弗勞恩霍夫研究所等機構合作，推動光子集成與半導體封裝技術發展。例如，Quantum X align系統的高對準精度（100 nm）為光通信芯片提供可靠解決方案，彰顯德國精密制造與全球產業鏈整合的優勢。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。黑龍江德國POLOS光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米光束引擎高速掃描：SPS POLOS 單次寫入400 m區域，壓電驅動提升掃描速度。
在微流體領域，Polos系列光刻機通過無掩模技術實現了復雜3D流道結構的快速成型。例如，中科院理化所利用類似技術制備跨尺度微盤陣列，研究細胞球浸潤行為，為組織工程提供了新型生物界面設計策略10。Polos設備的精度與靈活性可支持此類仿生結構的批量生產，推動醫療診斷芯片的研發。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。
德國 Polos 光刻機系列的一大突出優勢，便是能夠輕松輸入任意圖案進行曝光。在科研工作中，創新的設計理念往往需要快速驗證，而 Polos 光刻機正滿足了這一需求�？蒲腥藛T無需花費大量時間和成本制作掩模，只需將設計圖案導入系統，就能迅速開始光刻作業。 在生物醫學工程領域，研究人員利用這一特性，快速制作出具有特殊結構的生物芯片，用于疾病診斷和藥物篩選。在材料科學研究中，可根據不同材料特性，定制獨特的圖案結構，探索材料的新性能。這種靈活的圖案輸入方式，remarkable縮短了科研周期，加速科研成果的產出，讓科研人員能夠將更多精力投入到創新研究中。無掩模激光直寫技術：無需物理掩膜，軟件直接輸入任意圖案，降低成本與時間。
一家專注于再生醫學的科研公司在組織工程支架的研究上，使用德國 Polos 光刻機取得remarkable成果。組織工程支架需要具備特定的三維結構，以促進細胞的生長和組織的修復。Polos 光刻機能夠根據預先設計的三維模型，在生物可降解材料上精確制造出復雜的孔隙結構和表面圖案。通過該光刻機制造的支架，在動物實驗中表現出優異的細胞黏附和組織生長引導能力。與傳統制造方法相比，使用 Polos 光刻機生產的支架，細胞在其上的增殖速度提高了 50%，為組織工程和再生醫學的臨床應用提供了有力支持。6英寸晶圓兼容：Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工，工業級重復精度0.1 m。遼寧PSP光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米
微型傳感器量產：80 m開環諧振器加工能力，推動工業級MEMS傳感器升級。黑龍江德國POLOS光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米
德國Polos-BESM系列光刻機采用無掩模激光直寫技術，突破傳統光刻對物理掩膜的依賴，支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進行快速曝光。其亞微米分辨率（most小線寬0.8 m）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圓上實現高精度微納結構加工18。系統體積緊湊，only占桌面空間，搭配閉環自動對焦（1秒完成）和半自動多層對準功能，大幅提升實驗室原型開發效率，適用于微流體芯片設計、電子元件制造等領域。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。黑龍江德國POLOS光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米
