福州正性光刻膠國產廠商 歡迎咨詢 吉田半導體供應

發貨地點:廣東省東莞市

發布時間:2025-06-05

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制版光刻膠應用場景:印刷電路板(FPC)、觸摸屏(TP)的掩膜版制作,以及光學元件(如衍射光柵)的微納加工。特點:高分辨率與耐化學性,確保模板的長期使用壽命。

水性光刻膠(JT-1200)應用場景:環保要求高的電子元件(如醫療設備、汽車電子)的制造,以及柔性電路的生產。特點:以水為溶劑,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 環保標準。

水油兩用光刻膠(JT-2001/SR-3308)適用于混合工藝場景(如部分環節需水性顯影,部分需溶劑顯影),提升生產靈活性。 光刻膠半導體領域的應用。福州正性光刻膠國產廠商

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市場與客戶優勢:全球化布局與頭部客戶合作

 全球客戶網絡
產品遠銷全球,與三星、LG、京東方等世界500強企業建立長期合作,在東南亞、北美市場市占率超15%。

 區域市場深耕
依托東莞松山湖產業集群,與華為、OPPO等本土企業合作,在消費電子、汽車電子領域快速響應客戶需求。

產業鏈配套優勢:原材料與設備協同

 主要原材料自主化
公司自主生產光刻膠樹脂、光引發劑,降低對進口依賴,成本較國際競品低20%。

 設備與工藝協同
與國內涂膠顯影設備廠商合作,開發適配國產設備的光刻膠配方,提升工藝兼容性。

東莞水油光刻膠供應商松山湖光刻膠廠家吉田,23 年經驗 + 全自動化產線,支持納米壓印光刻膠定制!

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吉田半導體 YK-300 正性光刻膠:半導體芯片制造的材料

YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性,成為 45nm 及以上制程的理想選擇。
YK-300 正性光刻膠分辨率達 0.35μm,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,適用于半導體芯片前道工藝。其耐溶劑性與絕緣阻抗性能突出,在顯影與蝕刻過程中保持圖形穩定性。產品已通過中芯國際量產驗證,良率達 98% 以上,生產過程執行 ISO9001 標準,幫助客戶降低封裝成本 20% 以上。支持小批量試產與定制化需求,為國產芯片制造提供穩定材料支撐。

客戶認證:從實驗室到產線的漫長“闖關”

 驗證周期與試錯成本
半導體光刻膠需經歷PRS(性能測試)、STR(小試)、MSTR(中批量驗證)等階段,周期長達2-3年。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動驗證,直至2025年才通過客戶50nm閃存平臺認證。試錯成本極高,單次晶圓測試費用超百萬元,且客戶為維持產線穩定,通常不愿更換供應商。

 設備與工藝的協同難題
光刻膠需與光刻機、涂膠顯影機等設備高度匹配。國內企業因缺乏ASML EUV光刻機測試資源,只能依賴二手設備或與晶圓廠合作驗證,導致研發效率低下。例如,華中科技大學團隊開發的EUV光刻膠因無法接入ASML原型機測試,性能參數難以對標國際。
吉田市場定位與未來布局。

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作為深耕半導體材料領域二十余年的綜合性企業,廣東吉田半導體材料有限公司始終將環保理念融入產品研發與生產全流程。公司位于東莞松山湖產業集群,依托區域產業鏈優勢,持續推出符合國際環保標準的半導體材料解決方案。

公司在錫膏、焊片等產品中采用無鹵無鉛配方,嚴格遵循 RoHS 指令要求,避免使用有害物質。以錫膏為例,其零鹵素配方通過第三方機構認證,不僅減少了電子產品廢棄后的環境負擔,還提升了焊接可靠性,適用于新能源汽車、精密電子設備等領域。同時,納米壓印光刻膠與 LCD 光刻膠的生產過程中,公司通過優化原料配比,減少揮發性有機物(VOCs)排放,確保產品符合歐盟 REACH 法規。

吉田質量管控與認證壁壘。大連3微米光刻膠國產廠家

吉田半導體助力區域經濟發展,推動產業鏈協同創新。福州正性光刻膠國產廠商

工藝流程

目的:去除基板表面油污、顆粒,增強感光膠附著力。

方法:

化學清洗(硫酸/雙氧水、去離子水);

表面處理(硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,PCB基板用粗化處理)。

 涂布(Coating)

方式:

旋涂:半導體/顯示領域,厚度控制精確(納米至微米級),轉速500-5000rpm;

噴涂/輥涂:PCB/MEMS領域,適合大面積或厚膠(微米至百微米級,如負性膠可達100μm)。

關鍵參數:膠液黏度、涂布速度、基板溫度(影響厚度均勻性)。

 前烘(Soft Bake)

目的:揮發溶劑,固化膠膜,增強附著力和穩定性。

條件:

溫度:60-120℃(正性膠通常更低,如90℃;負性膠可至100℃以上);

時間:5-30分鐘(根據膠厚調整,厚膠需更長時間)。

 曝光(Exposure)

光源:

紫外光(UV):G線(436nm)、I線(365nm)用于傳統光刻(分辨率≥1μm);

深紫外(DUV):248nm(KrF)、193nm(ArF)用于半導體先進制程(分辨率至20nm);

極紫外(EUV):13.5nm,用于7nm以下制程(只能正性膠適用)。

曝光方式:

接觸式/接近式:掩膜版與膠膜直接接觸(PCB、MEMS,低成本但精度低);

投影式:通過物鏡聚焦(半導體,分辨率高,如ArF光刻機精度達22nm)。

福州正性光刻膠國產廠商

 

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