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發(fā)布時(shí)間:2025-06-05
細(xì)胞培養(yǎng)芯片需根據(jù)不同細(xì)胞類型設(shè)計(jì)表面微結(jié)構(gòu),傳統(tǒng)光刻依賴掩模庫(kù),難以滿足個(gè)性化需求。Polos 光刻機(jī)支持 STL 模型直接導(dǎo)入,某干細(xì)胞研究所在 24 小時(shí)內(nèi)完成了神經(jīng)干細(xì)胞三維培養(yǎng)支架的定制加工。其制造的微柱陣列間距可精確控制在 5-50μm,適配不同分化階段的細(xì)胞黏附需求。實(shí)驗(yàn)顯示,使用該支架的神經(jīng)細(xì)胞軸突生長(zhǎng)速度提升 30%,為神經(jīng)再生機(jī)制研究提供了高效工具,相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給生物芯片企業(yè)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。POLOS :超緊湊設(shè)計(jì),納米級(jí)精度專攻微流控與細(xì)胞芯片。浙江POLOSBEAM光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸
某材料科學(xué)研究中心在探索新型納米復(fù)合材料的性能時(shí),需要在材料表面構(gòu)建特殊的納米圖案。德國(guó) Polos 光刻機(jī)成為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的得力工具。研究人員利用其無掩模激光光刻技術(shù),在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結(jié)構(gòu)。經(jīng)過測(cè)試發(fā)現(xiàn),帶有特定圖案的納米復(fù)合材料,其電學(xué)、光學(xué)和力學(xué)性能發(fā)生了remarkable改變。例如,一種原本光學(xué)性能普通的納米材料,在經(jīng)過 Polos 光刻機(jī)處理后,對(duì)特定波長(zhǎng)光的吸收率提高了 30%,為開發(fā)新型光電器件和光學(xué)傳感器提供了新的材料選擇和設(shè)計(jì)思路 。浙江POLOSBEAM光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸POLOS 光刻機(jī):桌面級(jí)設(shè)計(jì),2-23μm 可調(diào)分辨率,兼容 4 英寸晶圓,微機(jī)電系統(tǒng)加工誤差 < 5μm。
在科研領(lǐng)域,設(shè)備的先進(jìn)程度往往決定了研究的深度與廣度。德國(guó)的 Polos - BESM、Polos - BESM XL、SPS 光刻機(jī) POLOS 帶來了革新之光。它們運(yùn)用無掩模激光光刻技術(shù),摒棄了傳統(tǒng)光刻中昂貴且制作周期長(zhǎng)的掩模,極大降低了成本。這些光刻機(jī)可輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光,在微流體、電子學(xué)和納 / 微機(jī)械系統(tǒng)等領(lǐng)域大顯身手。例如在微流體研究中,能precise制造復(fù)雜的微通道網(wǎng)絡(luò),助力藥物傳輸、細(xì)胞培養(yǎng)等研究。在電子學(xué)方面,可實(shí)現(xiàn)高精度的電路圖案曝光,為芯片研發(fā)提供有力支持。其占用空間小,對(duì)于空間有限的研究實(shí)驗(yàn)室來說堪稱完美。憑借出色特性,它們已助力眾多科研團(tuán)隊(duì)取得成果,成為科研創(chuàng)新的得力助手 。
微納衛(wèi)星對(duì)部件重量與精度要求苛刻,傳統(tǒng)加工難以兼顧。Polos 光刻機(jī)在硅基材料上實(shí)現(xiàn)了 50nm 深度的微溝槽加工,為某航天團(tuán)隊(duì)制造出輕量化星載慣性導(dǎo)航陀螺結(jié)構(gòu)。通過自定義螺旋型振動(dòng)梁圖案,陀螺的零偏穩(wěn)定性提升至 0.01°/h,較商用產(chǎn)品性能翻倍。該技術(shù)還被用于微推進(jìn)器噴嘴陣列加工,使衛(wèi)星姿態(tài)調(diào)整精度達(dá)到亞毫牛級(jí),助力我國(guó)低軌衛(wèi)星星座建設(shè)取得關(guān)鍵突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。光學(xué)超材料突破:光子晶體結(jié)構(gòu)precise制造,賦能超透鏡與隱身技術(shù)研究。
針對(duì)植入式醫(yī)療設(shè)備的長(zhǎng)期安全性問題,某生物電子實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)在聚乳酸()基底上制備可降解電極。其無掩模技術(shù)避免了傳統(tǒng)掩模污染,使電極的金屬殘留量低于 0.01μg/mm,生物相容性測(cè)試顯示細(xì)胞存活率達(dá) 99%。通過自定義螺旋狀天線圖案,開發(fā)出的可降解心率監(jiān)測(cè)器,在體內(nèi)降解周期可控制在 3-12 個(gè)月,信號(hào)傳輸穩(wěn)定性較同類產(chǎn)品提升 50%,相關(guān)技術(shù)已進(jìn)入臨床前生物相容性評(píng)價(jià)階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。Polos-BESM XL:加大加工幅面,滿足中尺寸器件一次性成型需求。浙江POLOSBEAM光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸
雙光子聚合擴(kuò)展:結(jié)合Nanoscribe技術(shù)實(shí)現(xiàn)3D微納打印,拓展微型機(jī)器人制造。浙江POLOSBEAM光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸
可編程微流控芯片需要集成電路控制與流體通道,傳統(tǒng)工藝需多次掩模對(duì)準(zhǔn),良率only 30%。Polos 光刻機(jī)的多材料同步曝光技術(shù),支持在同一塊基板上直接制備金屬電極與 PDMS 通道,將良率提升至 85%。某微系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室利用該特性,開發(fā)出可實(shí)時(shí)切換流路的生化分析芯片,通過軟件輸入不同圖案,10 分鐘內(nèi)即可完成從 DNA 擴(kuò)增到蛋白質(zhì)檢測(cè)的模塊切換。該成果應(yīng)用于 POCT 設(shè)備,使現(xiàn)場(chǎng)快速檢測(cè)系統(tǒng)的體積縮小 60%,檢測(cè)時(shí)間縮短至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。浙江POLOSBEAM光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸
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