某半導體實驗室采用 Polos 光刻機開發氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術在藍寶石襯底上實現了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達 2000 cm/(Vs)，擊穿電壓提升至 1200V，遠超商用產品水平。該技術還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統core器件的國產化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。6英寸晶圓兼容：Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工，工業級重復精度0.1 m。上海德國桌面無掩模光刻機分辨率1.5微米
Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設計，寫入區域達155×155 mm，平臺雙向重復性精度0.1 m，滿足工業級需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，支持實時觀測與多層對準。配套的BEAM Xplorer軟件簡化了復雜圖案設計流程，內置高性能筆記本電腦實現快速數據處理，成為微機電系統（MEMS）和光子晶體研究的理想工具。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。上海德國桌面無掩模光刻機分辨率1.5微米無掩模激光直寫技術：無需物理掩膜，軟件直接輸入任意圖案，降低成本與時間。
Polos光刻機在微機械加工中表現outstanding。其亞微米分辨率可制造80 m直徑的開環諧振器和2 m叉指電極，適用于傳感器與執行器開發。結合雙光子聚合技術（如Nanoscribe系統），用戶還能擴展至3D微納結構打印，為微型機器人及光學元件提供多尺度制造方案。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。
對于納 / 微機械系統的研究與制造，德國 Polos 光刻機系列展現出強大實力。無掩模激光光刻技術賦予它高度的靈活性，科研人員能夠快速將創新設計轉化為實際器件。在制造微型齒輪、納米級懸臂梁等微機械結構時，Polos 光刻機可precise控制激光，確保每個部件的尺寸和形狀都符合設計要求。 借助該光刻機，科研團隊成功研發出新型微機械傳感器，其靈敏度和響應速度遠超傳統產品。并且，由于系統占用空間小，即使是小型實驗室也能輕松引入。Polos 光刻機以其低成本、高效率的特性，成為納 / 微機械系統領域的制造先鋒，助力科研人員不斷探索微納世界的奧秘。固態電池：鋰金屬界面阻抗降至 50Ωcm，電池循環壽命提升 3 倍。
在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時，Polos 光刻機的亞微米級定位精度（±50nm）確保了圖案的均勻復制。某光電實驗室使用該設備，在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列，模板的圖案保真度達 99.8%，邊緣缺陷率低于 0.1%。基于此模板生產的柔性 OLED 背光模組，亮度均勻性提升至 98%，厚度減至 50μm，成功應用于下一代折疊屏手機，相關技術已授權給三家面板制造商。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。光刻膠broad兼容：支持AZ5214E、SU-8等材料，優化參數降低側壁粗糙度。上海德國桌面無掩模光刻機分辨率1.5微米
光學超材料突破：光子晶體結構precise制造，賦能超透鏡與隱身技術研究。上海德國桌面無掩模光刻機分辨率1.5微米
在構建肝臟芯片的血管化網絡時，某生物工程團隊使用 Polos 光刻機實現了跨尺度結構制備。其無掩模技術在 200μm 的主血管與 5μm 的blood capillary間precise銜接，血管內皮細胞貼壁率達 95%，較傳統光刻提升 30%。通過輸入 CT 掃描的真實肝臟血管數據，芯片成功模擬門靜脈與肝竇的血流梯度，使肝細胞功能維持時間從 7 天延長至 21 天。該技術為藥物肝毒性測試提供了接近體內環境的模型，某制藥公司使用后將候選藥物篩選周期縮短 40%，相關成果登上《Lab on a Chip》封面。上海德國桌面無掩模光刻機分辨率1.5微米
