吉田半導體 JT-3001 厚板光刻膠：歐盟 RoHS 認證，PCB 電路板制造
憑借抗深蝕刻性能與環保特性，吉田 JT-3001 厚板光刻膠成為 PCB 行業材料。
吉田半導體推出的 JT-3001 厚板光刻膠，分辨率達 1.5μm，抗深蝕刻速率 > 500nm/min，適用于高密度電路板制造。產品通過歐盟 RoHS 認證，采用無鹵無鉛配方，符合環保要求。其優異的感光度與留膜率，確保復雜線路圖形的成型，已應用于華為 5G 基站主板量產。公司提供從材料選型到工藝優化的全流程支持，助力客戶提升生產效率與良率。
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在半導體材料領域，廣東吉田半導體材料有限公司憑借 23 年技術沉淀，已成為國內光刻膠行業的企業。公司產品線覆蓋正性、負性、厚膜、納米壓印等多類型光刻膠，廣泛應用于芯片制造、LCD 顯示、PCB 電路板等領域。
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技術：自主研發的光刻膠產品具備高分辨率（如 JT-3001 厚板光刻膠）、高感光度（如 JT-1000 負性光刻膠）及抗深蝕刻性能，部分指標達到水平。
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嚴苛品控：生產過程嚴格遵循 ISO9001 體系，材料進口率 100%，并通過 8S 現場管理確保制程穩定性。
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定制化服務：支持客戶需求定制，例如為特殊工藝開發光刻膠，滿足多樣化場景需求。
公司位于松山湖開發區，依托產業園區資源，持續加大研發，與科研機構合作推動技術升級。目前，吉田半導體已服務全球數千家客戶，以 “匠心品質、售后無憂” 的理念贏得市場口碑。
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原料準備
主要成分：樹脂（成膜劑，如酚醛樹脂、聚酰亞胺等）、感光劑（光引發劑或光敏化合物，如重氮萘醌、光刻膠單體）、溶劑（溶解成分，如丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA））、添加劑（調節粘度、感光度、穩定性等，如表面活性劑、穩定劑）。
原料提純：對樹脂、感光劑等進行高純度精制（純度通常要求99.9%以上），避免雜質影響光刻精度。
配料與混合
按配方比例精確稱量各組分，在潔凈環境，如萬中通過攪拌機均勻混合，形成膠狀溶液。
控制溫度（通常20-30℃）和攪拌速度，避免氣泡產生或成分分解。
過濾與純化
使用納米級濾膜（孔徑0.05-0.2μm）過濾，去除顆粒雜質（如金屬離子、灰塵），確保膠液潔凈度，避免光刻時產生缺陷。
性能檢測
物理指標：粘度、固含量、表面張力、分子量分布等，影響涂布均勻性。
化學指標：感光度、分辨率、對比度、耐蝕刻性，通過曝光實驗和顯影測試驗證。
可靠性：存儲穩定性（常溫/低溫保存下的性能變化）、耐溫性（烘烤過程中的抗降解能力）。
包裝與儲存
在惰性氣體（如氮氣）環境下分裝至避光容器（如棕色玻璃瓶或鋁罐），防止感光劑氧化或光分解。
儲存條件：低溫（5-10℃）、避光、干燥，部分產品需零下環境（如EUV光刻膠）。
光刻膠（Photoresist）是一種對光敏感的高分子材料，主要用于光刻工藝中，通過光化學反應實現圖案的轉移，是半導體、集成電路（IC）、印刷電路板（PCB）、液晶顯示（LCD）等制造領域的材料之一。
光刻膠特性與組成
光敏性：在特定波長（如紫外光、極紫外光EUV等）照射下，會發生化學結構變化（如交聯或分解），從而改變在顯影液中的溶解性。
主要成分：
樹脂（成膜劑）：形成基礎膜層，決定光刻膠的機械和化學性能。
光敏劑：吸收光能并引發化學反應（如光分解、光交聯）。
溶劑：調節粘度，便于涂覆成膜。
添加劑：改善性能（如感光度、分辨率、對比度等）。
負性光刻膠的工藝和應用場景。
應用場景
半導體集成電路（IC）制造：
邏輯芯片（CPU/GPU）：在28nm以下制程中，正性DUV/EUV膠用于晶體管、互連布線的精細圖案化（如10nm節點線寬只有100nm）。
存儲芯片（DRAM/NAND）：3D堆疊結構中，正性膠用于層間接觸孔（Contact）和柵極（Gate）的高深寬比圖形（深寬比＞10:1）。
平板顯示（LCD/OLED）：
彩色濾光片（CF）：制作黑矩陣（BM）和彩色層（R/G/B），要求高透光率和邊緣銳利度（線寬5-10μm）。
OLED電極：在柔性基板上形成微米級透明電極，需低應力膠膜防止基板彎曲變形。
印刷電路板（PCB）：
高密度互連（HDI）：用于細線路（線寬/線距≤50μm），如智能手機主板，相比負性膠，正性膠可實現更精細的線路邊緣。
微納加工與科研：
MEMS傳感器：制作微米級懸臂梁、齒輪等結構，需耐干法蝕刻的正性膠（如含硅樹脂膠）。
納米光刻：電子束光刻膠（正性為主）用于研發級納米圖案（分辨率＜10nm）。
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LCD顯示
彩色濾光片（CF）：
黑色矩陣（BM）光刻膠：隔離像素，線寬精度±2μm，透光率<0.1%。
RGB色阻光刻膠：形成紅/綠/藍像素，需高色純度（NTSC≥95%）和耐光性。
陣列基板（Array）：
柵極絕緣層光刻膠：用于TFT-LCD的柵極圖案化，分辨率≤3μm。
OLED顯示（柔性/剛性）
像素定義層（PDL）光刻膠：在基板上形成有機發光材料的 confinement 結構，線寬精度±1μm，需耐溶劑侵蝕（適應蒸鍍工藝）。
觸控電極（如ITO/PET）：通過光刻膠圖形化實現透明導電線路，線寬≤5μm。
Mini/Micro LED
巨量轉移前的芯片制備：使用高分辨率光刻膠（分辨率≤5μm）定義微米級LED陣列，良率要求>99.99%。
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