納米電子器件制造
半導體芯片:在22nm以下制程中,EUV光刻膠(分辨率≤10nm)用于制備晶體管柵極、納米導線等關鍵結構,實現芯片集成度提升(如3nm制程的FinFET/GAA晶體管)。
二維材料器件:在石墨烯、二硫化鉬等二維材料表面,通過電子束光刻膠定義納米電極陣列,構建單原子層晶體管或傳感器。
納米光子學與超材料
光子晶體與波導:利用光刻膠制備亞波長周期結構(如光子晶體光纖、納米級波導彎頭),調控光的傳播路徑,用于集成光路或量子光學器件。
超材料設計:在金屬/介質基底上刻蝕納米級“魚網狀”“蝴蝶結”等圖案(如太赫茲超材料),實現對電磁波的超常調控(吸收、偏振轉換)。
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吉田半導體 SU-3 負性光刻膠:國產技術賦能 5G 芯片封裝
自主研發 SU-3 負性光刻膠支持 3 微米厚膜加工,成為 5G 芯片高密度封裝材料。
針對 5G 芯片封裝需求,吉田半導體自主研發 SU-3 負性光刻膠,分辨率達 1.5μm,抗深蝕刻速率 > 500nm/min。其超高感光度與耐化學性確保復雜圖形的完整性,已應用于高通 5G 基帶芯片量產。產品采用國產原材料與工藝,不采用國外材料,成本較進口產品降低 40%,幫助客戶提升封裝良率至 98.5%,為國產 5G 芯片制造提供關鍵材料支撐。
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LCD 正性光刻膠(YK-200)應用場景:LCD 面板的電極圖案化(如 TFT-LCD 的柵極、源漏極)、彩色濾光片制造。特點:高感光度與均勻涂布性,確保顯示面板的高對比度和色彩還原度。
厚膜光刻膠(JT-3001)應用場景:Mini LED/Micro LED 顯示基板的巨量轉移技術,以及 OLED 面板的封裝工藝。特點:膜厚可控(可達數十微米),滿足高密度像素陣列的精細加工需求。
PCB 光刻膠(如 SU-3 負性光刻膠)應用場景:高多層 PCB、HDI(高密度互連)板的線路成像,以及 IC 載板的精細線路制作。特點:抗電鍍性能優異,支持細至 50μm 以下的線寬 / 線距,適應 5G 通信、服務器等 PCB 需求。
光刻膠(Photoresist)是一種對光敏感的高分子材料,主要用于光刻工藝中,通過光化學反應實現圖案的轉移,是半導體、集成電路(IC)、印刷電路板(PCB)、液晶顯示(LCD)等制造領域的材料之一。
光刻膠特性與組成
光敏性:在特定波長(如紫外光、極紫外光EUV等)照射下,會發生化學結構變化(如交聯或分解),從而改變在顯影液中的溶解性。
主要成分:
樹脂(成膜劑):形成基礎膜層,決定光刻膠的機械和化學性能。
光敏劑:吸收光能并引發化學反應(如光分解、光交聯)。
溶劑:調節粘度,便于涂覆成膜。
添加劑:改善性能(如感光度、分辨率、對比度等)。
正性光刻膠生產原料。
市場與客戶優勢:全球化布局與頭部客戶合作
全球客戶網絡
產品遠銷全球,與三星、LG、京東方等世界500強企業建立長期合作,在東南亞、北美市場市占率超15%。
區域市場深耕
依托東莞松山湖產業集群,與華為、OPPO等本土企業合作,在消費電子、汽車電子領域快速響應客戶需求。
產業鏈配套優勢:原材料與設備協同
主要原材料自主化
公司自主生產光刻膠樹脂、光引發劑,降低對進口依賴,成本較國際競品低20%。
設備與工藝協同
與國內涂膠顯影設備廠商合作,開發適配國產設備的光刻膠配方,提升工藝兼容性。
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產品特點:耐溶劑型優良,抗潮耐水性好,耐印率高;固含量高,流平性好,涂布性能優良;經特殊乳化聚合技術處理,網版平滑、無白點、無沙眼、亮度高;剝膜性好,網版可再生使用;解像性、高架橋性好,易做精細網點和線條;感光度高,曝光時間短,曝光寬容度大,節省網版作業時間,提高工作效率 。
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應用范圍:適用于塑料、皮革、標牌、印刷電路板(PCB)、廣告宣傳、玻璃、陶瓷、紡織品等產品的印刷。例如在塑料表面形成牢固圖案,滿足皮革制品精細印刷需求,制作各類標牌保證圖案清晰,用于 PCB 制造滿足高精度要求等。
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