電壓參數集射極額定電壓：這是IGBT能夠承受的集電極與發射極之間的最高電壓，超過此電壓可能會導致IGBT發生擊穿損壞。不同應用場景需要選擇不同的IGBT模塊，如在中低壓變頻器中，常選用、的IGBT模塊，而在高壓輸電等領域則可能需要及以上的產品。柵射極額定電壓：是指IGBT柵極與發射極之間允許施加的最大電壓，一般在左右，超過這個范圍可能會損壞柵極絕緣層，導致IGBT失效。集射極飽和壓降：IGBT導通時，集電極與發射極之間的電壓降，它直接影響IGBT的導通損耗，越低，導通損耗越小，效率越高。國內IGBT企業通過技術創新和產能擴張提升市場競爭力。Standard 2-packigbt模塊

家電領域變頻空調：IGBT模塊用于空調的變頻控制系統中，通過調節壓縮機的轉速，使空調能夠根據室內環境溫度的變化自動調整制冷或制熱能力，實現精確的溫度控制。與傳統定頻空調相比，變頻空調具有節能、舒適、噪音低等優點，節能效果可達30%左右。冰箱：在一些冰箱的壓縮機驅動系統中采用了IGBT模塊的變頻技術，能夠根據冰箱內的實際負載情況和環境溫度變化，實時調整壓縮機的運行速度和功率，使冰箱始終保持在的運行狀態，降低能耗，延長壓縮機的使用壽命。楊浦區明緯開關igbt模塊IGBT模塊用于軌道交通車輛的牽引變流器和輔助變流器。

散熱基板：一般由銅制成，因為銅具有良好的導熱性，不過也有其他材料制成的基板，例如鋁碳化硅（AlSiC）等。銅基板的厚度通常在3 - 8mm。它是IGBT模塊的散熱功能結構與通道，主要負責將IGBT芯片工作過程中產生的熱量快速傳遞出去，以保證模塊的正常工作溫度，同時還發揮機械支撐與結構保護的作用。二極管芯片：通常與IGBT芯片配合使用，其電流方向與IGBT的電流方向相反。二極管芯片可以在IGBT關斷時提供續流通道，防止電流突變產生過高的電壓尖峰，保護IGBT芯片免受損壞。

IGBT 模塊是 Insulated Gate Bipolar Transistor Module 的縮寫，即絕緣柵雙極型晶體管模塊，它是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片與 FWD（快恢復二極管）芯片通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體器件。工作原理導通原理：當在IGBT的柵極和發射極之間施加正向電壓時，柵極下方的半導體表面會形成反型層，從而形成導電溝道，使得集電極和發射極之間能夠導通電流。此時，IGBT處于導通狀態，電流可以從集電極流向發射極。關斷原理：當柵極和發射極之間的電壓降低到一定程度時，反型層消失，導電溝道被切斷，集電極和發射極之間的電流無法通過，IGBT處于關斷狀態。未來，IGBT模塊行業將迎來更加廣闊的發展空間和機遇。

高壓直流輸電（HVDC）：在高壓直流輸電系統中，IGBT 模塊組成的換流器實現交流電與直流電之間的轉換。將送端交流系統的電能轉換為高壓直流電進行遠距離傳輸，在受端再將直流電轉換為交流電接入當地交流電網。與傳統的交流輸電相比，高壓直流輸電具有輸電損耗小、輸送容量大、穩定性好等優點，IGBT 模塊的高性能保證了換流過程的高效和可靠。

柔性的交流輸電系統（FACTS）：包括靜止無功補償器（SVC）、靜止同步補償器（STATCOM）等設備，IGBT 模塊在其中起到快速調節電力系統無功功率的作用，能夠動態補償電網中的無功功率，穩定電網電壓，提高電力系統的穩定性和輸電能力。 IGBT模塊是絕緣柵雙極型晶體管與續流二極管的模塊化產品。英飛凌igbt模塊代理品牌

IGBT模塊通過非通即斷的半導體特性實現電流的快速開斷。Standard 2-packigbt模塊

按芯片技術分類平面型IGBT模塊：是較早出現的技術，其芯片結構簡單，成本相對較低，但在性能上有一定局限性，如開關速度、通態壓降等方面。常用于一些對性能要求不是特別高、成本敏感的應用場景，像普通的工業加熱設備等。溝槽型IGBT模塊：采用溝槽結構來增加芯片的有效面積，提高了電流密度，降低了通態壓降，同時開關速度也有所提升。在新能源汽車、光伏等對效率和性能要求較高的領域應用多樣，能有效提高系統的效率和功率密度。場截止型IGBT模塊：通過在芯片內部設置場截止層，優化了IGBT的關斷特性，減少了關斷損耗，提高了模塊的開關頻率和效率。適用于高頻、高壓、大功率的應用場合，如高壓變頻器、風力發電變流器等。Standard 2-packigbt模塊