吉田半導體突破 ArF 光刻膠技術壁壘，國產替代再迎新進展
自主研發 ArF 光刻膠通過中芯國際驗證，吉田半導體填補國內光刻膠空白。
吉田半導體成功研發出 AT-450 ArF 光刻膠，分辨率達 90nm，適用于 14nm 及以上制程，已通過中芯國際量產驗證。該產品采用國產原材料與自主配方，突破日本企業對 ArF 光刻膠的壟斷。其光酸產率提升 30%，蝕刻選擇比達 4:1，性能對標日本信越的 ArF 系列。吉田半導體的技術突破加速了國產芯片制造材料自主化進程，為國內晶圓廠提供高性價比解決方案。
吉田半導體光刻膠，45nm 制程驗證，國產替代方案！東莞油墨光刻膠
吉田半導體 SU-3 負性光刻膠：國產技術賦能 5G 芯片封裝
自主研發 SU-3 負性光刻膠支持 3 微米厚膜加工，成為 5G 芯片高密度封裝材料。
針對 5G 芯片封裝需求，吉田半導體自主研發 SU-3 負性光刻膠，分辨率達 1.5μm，抗深蝕刻速率 > 500nm/min。其超高感光度與耐化學性確保復雜圖形的完整性，已應用于高通 5G 基帶芯片量產。產品采用國產原材料與工藝，不采用國外材料，成本較進口產品降低 40%，幫助客戶提升封裝良率至 98.5%，為國產 5G 芯片制造提供關鍵材料支撐。
重慶制版光刻膠供應商東莞光刻膠廠家哪家好？
吉田半導體助力區域經濟，構建半導體材料生態圈，發揮企業作用，吉田半導體聯合上下游資源，推動東莞松山湖半導體產業協同創新。
作為松山湖產業集群重要成員，吉田半導體聯合光刻機制造商、光電子企業共建材料生態圈。公司通過技術輸出與資源共享，幫助本地企業提升工藝水平，促進產業鏈協同創新。例如，與華中科技大學合作研發的 T150A KrF 光刻膠，極限分辨率 120nm，工藝寬容度優于日本信越同類產品，已實現量產并出口東南亞，為區域經濟發展注入新動能。
國家大基金三期：注冊資本3440億元，明確將光刻膠列為重點投資領域，計劃投入超500億元支持樹脂、光引發劑等原料研發，相當于前兩期投入總和的3倍。
地方專項政策：湖北省對通過驗證的光刻膠企業給予設備采購補貼+稅收減免，武漢太紫微憑借全流程國產化技術獲中芯國際百萬級訂單；福建省提出2030年化工新材料自給率達90%，光刻膠是重點突破方向。
研發專項：科技部“雙十計劃”設立20億元經費，要求2025年KrF/ArF光刻膠國產化率突破10%，并啟動EUV光刻膠預研。
光刻膠生產工藝流程與應用。
光刻膠的主要應用領域
光刻膠是微電子制造的主要材料，廣泛應用于以下領域：
半導體制造
功能：在晶圓表面形成微細電路圖案，作為蝕刻或離子注入的掩膜。
分類：
正性光刻膠：曝光區域溶解于顯影液，形成與掩膜版一致的圖案（主流，分辨率高）。
負性光刻膠：未曝光區域溶解，形成反向圖案（用于早期工藝，耐蝕刻性強）。
技術演進：隨制程精度提升，需匹配不同曝光波長（紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV），例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。
平板顯示（LCD/OLED）
彩色濾光片（CF）：在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元，光刻膠用于圖案化黑矩陣（BM）、彩色層（R/G/B）和保護層。
電極圖案：制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極，需高透光率和精細邊緣控制。
印刷電路板（PCB）
線路蝕刻：在覆銅板上涂膠，曝光顯影后保留線路區域，蝕刻去除未保護的銅箔，形成導電線路。
阻焊與字符層：阻焊膠覆蓋非線路區域，防止短路；字符膠用于印刷電路板標識。
LED與功率器件
芯片制造：在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結構，需耐高功率環境的耐高溫光刻膠。
Micro-LED：微米級芯片轉移和陣列化，依賴超高分辨率光刻膠（分辨率≤5μm）。
聚焦封裝需求，吉田公司提供從光刻膠到配套材料的一姑式服務。黑龍江厚膜光刻膠品牌
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產品特點：耐溶劑型優良，抗潮耐水性好，耐印率高；固含量高，流平性好，涂布性能優良；經特殊乳化聚合技術處理，網版平滑、無白點、無沙眼、亮度高；剝膜性好，網版可再生使用；解像性、高架橋性好，易做精細網點和線條；感光度高，曝光時間短，曝光寬容度大，節省網版作業時間，提高工作效率 。
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應用范圍：適用于塑料、皮革、標牌、印刷電路板（PCB）、廣告宣傳、玻璃、陶瓷、紡織品等產品的印刷。例如在塑料表面形成牢固圖案，滿足皮革制品精細印刷需求，制作各類標牌保證圖案清晰，用于 PCB 制造滿足高精度要求等。
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