立式爐的溫度控制是確保工藝穩定和產品質量的關鍵。通常采用先進的自動化控制系統，通過溫度傳感器實時監測爐內溫度，并將信號反饋給控制器。控制器根據預設的溫度值，自動調節燃燒器的燃料供應量和空氣流量，實現對爐溫的精確控制。例如，當爐內溫度低于設定值時，控制器會增加燃料供應和空氣量，提高燃燒強度，使爐溫上升；反之，當溫度過高時，則減少燃料和空氣供應，降低爐溫。一些高級立式爐還具備多段溫度控制功能，能夠根據物料在不同加熱階段的需求，靈活調整爐內不同區域的溫度，滿足復雜工藝的要求，確保物料受熱均勻，產品質量穩定。立式爐的溫控系統精度高，可實現±1℃的溫度控制。無錫賽瑞達立式爐

立式爐主要適用于6"、8"、12"晶圓的氧化、合金、退火等工藝。氧化是在中高溫下通入特定氣體（O2/H2/DCE），在硅片表面發生氧化反應，生成二氧化硅薄膜的一種工藝。生成的二氧化硅薄膜可以作為集成電路器件前道的緩沖介質層和柵氧化層等。退火是在中低溫條件下，通入惰性氣體（N2），消除硅片界面處晶格缺陷和晶格損傷，優化硅片界面質量的一種工藝。立式爐通過電加熱器或其他加熱元件對爐膛內的物料進行加熱。由于爐膛管道垂直放置，熱量在爐膛內上升過程中能夠得到更均勻的分布，有助于提高加熱效率和溫度均勻性。無錫制造立式爐立式爐配備多重安全防護，使用安心。

立式爐在節能方面具備明顯優勢。首先，其緊湊的結構設計減少了熱量散失的表面積，相較于一些臥式爐型，能有效降低散熱損失。其次，先進的燃燒器技術能夠實現燃料的充分燃燒，提高能源利用率。通過精確控制燃料與空氣的混合比例，使燃燒過程更加高效，減少不完全燃燒產生的能量浪費。此外，立式爐采用的高效隔熱材料，進一步降低了爐體表面的溫度，減少了熱量向周圍環境的散發。一些新型立式爐還配備了余熱回收系統，將燃燒廢氣中的余熱進行回收利用，用于預熱空氣、水或其他物料，實現能源的二次利用，降低了企業的能源消耗和生產成本。

立式氧化爐：主要用于在中高溫下，使通入的特定氣體（如 O、H、DCE 等）與硅片表面發生氧化反應，生成二氧化硅薄膜，應用于 28nm 及以上的集成電路、先進封裝、功率器件等領域。立式退火爐：在中低溫條件下，通入惰性氣體（如 N），消除硅片界面處晶格缺陷和晶格損傷，優化硅片界面質量，適用于 8nm 及以上的集成電路、先進封裝、功率器件等。立式合金爐：在低溫條件下，通入惰性或還原性氣體（如 N、H），降低硅片表面接觸電阻，增強附著力，用于 28nm 及以上的集成電路、先進封裝、功率器件等。立式爐在科研實驗室中用于材料的高溫合成和性能研究。

半導體立式爐的內部構造包括以下幾個主要部分：加熱元件：通常由電阻絲構成，用于對爐管內部進行加熱。石英管：由高純度石英制成，耐受高溫并保持化學惰性。氣體供應口和排氣口：用于輸送和排出氣體，確保爐內環境的穩定。溫控元件：對加熱溫度進行控制，確保工藝的精確性。硅片安放裝置：特制的Holder用于固定硅片，確保在工藝過程中保持平穩。半導體立式爐 應用于各種半導體材料的制造和加工中，如硅片切割、薄膜熱處理和濺射沉積等。隨著半導體工業的發展和技術進步，立式爐將繼續在更好品質半導體材料的制造中發揮重要作用。立式爐的快速冷卻系統可滿足快速升降溫的工藝需求。無錫制造立式爐

立式爐持續技術創新，指引行業發展。無錫賽瑞達立式爐

在新能源材料制備領域，立式爐發揮著不可替代的作用。在鋰電池材料生產中，用于對正極材料、負極材料進行燒結處理。精確控制溫度和氣氛，使材料的晶體結構和性能達到理想狀態，提高電池的能量密度和循環壽命。在太陽能光伏材料制備中，立式爐用于硅片的擴散、退火等工藝。通過精確控制溫度，改善硅片的電學性能和光學性能，提高太陽能電池的轉換效率。新能源材料對制備工藝要求極高，立式爐的高精度溫度控制和良好的氣氛控制能力，滿足了這些嚴格要求，推動了新能源產業的發展。無錫賽瑞達立式爐