圖10d示出導(dǎo)線1020的一維模型與基準(zhǔn)矩形跡線1022在距跡線中心1mm的距離處的差異。單個矩形跡線1022的表示可以通過單導(dǎo)線配置和多導(dǎo)線配置兩者來實現(xiàn)。可以看出，該場與一維模型略有偏離。從圖10d可以看出，誤差不可忽略，但在兩種情況下，即使在1mm處，誤差也只有很小的分數(shù)1％。由于接收線圈的大多數(shù)點相對于發(fā)射線圈的距離遠大于1mm，因此1維導(dǎo)線模型在大多數(shù)應(yīng)用中可能就足夠了。也可以用三維塊狀元素來表示發(fā)射線圈，其中假定電流密度是均勻的。圖10e示出這種近似。如圖10e所示，這以適度的附加計算為代價將由發(fā)射線圈產(chǎn)生的磁場的建模誤差減小了一個數(shù)量級。因此，在步驟1006和步驟1010中，可以將跡線建模為一維跡線。因此，通過使用1維導(dǎo)線模型可以預(yù)先計算由發(fā)射線圈產(chǎn)生的源磁場。在一些實施例中，可以使用基于3d塊狀件元素的更高級的模型，如上所述，該模型可以產(chǎn)生大致相同的結(jié)果。這些模型可以使用有限元矩陣形式的計算，江西微型傳感器線圈，然而，此類模型可能需要許多元素，江西微型傳感器線圈，江西微型傳感器線圈，并且需要增加計算。如上文所討論的，類似于fem的模型可能使用太多的元素(1億多個網(wǎng)格元素)來達到所提出的一維模型的準(zhǔn)確性。傳感器線圈哪家服務(wù)好，無錫東英電子有限公司為您服務(wù)！有需求的不要錯過哦！江西微型傳感器線圈

    這些步進電機提供目標(biāo)的4軸運動，即x、v、z以及繞z軸的旋轉(zhuǎn)。這樣，如圖4b所示的系統(tǒng)400能夠沿包括z方向在內(nèi)的所有可能方向掃描位置定位器系統(tǒng)410中的接收二器線圈上方的金屬目標(biāo)408，以產(chǎn)生不同的氣隙。如前所述，氣隙是金屬目標(biāo)408與放置位置定位系統(tǒng)410的發(fā)射線圈和接收線圈的pcb之間的距離。這樣的系統(tǒng)可以用于位置定位器系統(tǒng)410的校準(zhǔn)、線性化和分析。圖4c示出在具有發(fā)射線圈106和接收線圈104的旋轉(zhuǎn)位置定位器系統(tǒng)410上方的金屬目標(biāo)408的掃描。如圖4c所示，金屬目標(biāo)408在接收器線圈104上方從0°掃描到θ°。圖4d示出當(dāng)如圖4c所示地掃描金屬目標(biāo)408時從接收器線圈104測量的電壓vsin和電壓vcos與仿真的結(jié)果的比較的示例。在圖4d的特定示例中，金屬目標(biāo)408在50個位置被掃描。十字表示樣本電壓，實線表示由電磁場求解程序cdice-bim所仿真的值。位置定位器系統(tǒng)410的準(zhǔn)確度可以被定義為在金屬目標(biāo)408從初始位置掃描到結(jié)束位置期間的位置的測量與該掃描的預(yù)期理想曲線之間的差。該結(jié)果以相對于全標(biāo)度的百分比表示，如圖5所示。在圖5中，pos0是來自位置定位系統(tǒng)410的測量值，并且輸出擬合是理想曲線。pos0是從控制器402的寄存器測量的值，而fs是全標(biāo)度的值。例如。江西微型傳感器線圈傳感器線圈的各方面的特性怎么樣；

    步驟730可以針對其準(zhǔn)確性驗證在步驟724中執(zhí)行的仿真。在步驟732中，如果仿真與測量結(jié)果匹配，則算法720進行到步驟734，在此線圈設(shè)計已經(jīng)被驗證。在步驟732中，如果仿真結(jié)果與物理測量結(jié)果不匹配，則算法720進行到步驟736。在步驟736中，如果所執(zhí)行的算法720為對由算法700所產(chǎn)生的線圈設(shè)計的驗證，則修改算法700的輸入設(shè)計，并返回算法700。在一些實施例中，在步驟736中產(chǎn)生錯誤，指示仿真未正確地運行，因此仿真自身需要進行調(diào)整以便更好地仿真特定位置定位系統(tǒng)中的所有非理想性。在那種情況下，步驟736也可以是模型校準(zhǔn)算法。因此，在本發(fā)明的一些實施例中，可以通過迭代地提供當(dāng)前線圈設(shè)計的仿真，然后根據(jù)該仿真修改線圈設(shè)計，直到線圈設(shè)計滿足期望的規(guī)范為止，來產(chǎn)生優(yōu)化的線圈設(shè)計。在一些情況下，作為后一步，將物理產(chǎn)生并測試經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計，以確保仿真與物理測量的屬性相匹配。無論目標(biāo)是優(yōu)化還是重新設(shè)計pcb上的舊線圈設(shè)計，或者無論目標(biāo)是沒計還是優(yōu)化pcb上的新線圈設(shè)計，該過程都有助于優(yōu)化線圈設(shè)計。可以根據(jù)算法720驗證pcb上的現(xiàn)有線圈設(shè)計，并根據(jù)算法700進行潛在地改進該線圈設(shè)計。可以使用電子設(shè)計自動化(eda)或計算機輔助設(shè)計。

如圖2b所示，在正弦定向線圈112中，金屬目標(biāo)124完全覆蓋環(huán)路116，并且使環(huán)路114和環(huán)路118未被覆蓋。結(jié)果，vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。類似地，在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導(dǎo)致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導(dǎo)致vb＝1/2。因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標(biāo)124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標(biāo)124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標(biāo)124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓撲的金屬目標(biāo)124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示，通過從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對目標(biāo)進行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標(biāo)124相對于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定，如圖2e所示。制作傳感器線圈的材料是什么；

    例如塊體積元素(brickvolumetricelement)、部分元素等效電路(peec)或基于體積積分公式的方法，其可以提供對由實際三維電流承載結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的磁場進行估計的進一步的提高。金屬目標(biāo)通常可以由導(dǎo)電表面表示。如圖10a所示，算法704在步驟1002處開始。在步驟1002中，獲得描述tx線圈和rx線圈、目標(biāo)的幾何形狀、氣隙規(guī)范和掃描規(guī)范的pcb跡線設(shè)計。這些輸入?yún)��?shù)例如可以由算法700提供，要么在算法700的輸入步驟702期間通過初始輸入，要么從來自算法700的線圈調(diào)整步驟712的經(jīng)調(diào)整的線圈設(shè)計來提供，如圖7a所示。算法704然后進行到步驟1003。在步驟1003中，算法704以在步驟1002中設(shè)置的頻率參數(shù)計算發(fā)射線圈(tx)的跡線的電阻r和電感l(wèi)。在不存在目標(biāo)的情況下執(zhí)行計算，以給出品質(zhì)因數(shù)的估計q＝2πfl/r。在步驟1004中，設(shè)置參數(shù)以仿真特定線圈設(shè)計的性能和在步驟1002中接收的線圈設(shè)計的氣隙，其中金屬目標(biāo)如在掃描參數(shù)中定義的被設(shè)置在現(xiàn)行位置。如果這是次迭代，則將現(xiàn)行位置設(shè)置為在步驟1002中接收到的數(shù)據(jù)中所定義的掃描的起點。否則，將位置設(shè)置為掃描中的當(dāng)前定義的位置。在步驟1006中，確定由發(fā)射線圈生成的電磁場。購買傳感器線圈需要注意什么？北京工業(yè)傳感器線圈

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