vc=1/2、vd=0、以及ve=1/2,因此vsin=vc+vd+ve=1。類似地,在余弦定向線圈110中,工程傳感器線圈問答知識,環路120的一半被覆蓋,導致va=-1/2,并且環路122的一半被覆蓋,導致vb=1/2,工程傳感器線圈問答知識。因此,由va+vb給出的vcos為0。類似地,圖2c示出金屬目標124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此,正弦定向線圈112中的環路116和環路118的一半被金屬目標124覆蓋,工程傳感器線圈問答知識,而余弦定向環路110中的環路122被金屬目標124覆蓋。因此va=-1、vb=0、vc=1/2、vd=-1/2、以及ve=0。結果,vsin=0且vcos=-1。圖2d示出vcos和vsin相對于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓撲的金屬目標124的角位置的曲線圖。如圖2d所示,可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示,通過從定義的初始位置到定義的結束位置對目標進行掃描,將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標124相對于接收線圈104的角位置可以根據來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定,如圖2e所示。傳感器線圈哪家好,無錫東英電子有限公司值得信賴,期待您的光臨!工程傳感器線圈問答知識
利用在步驟1002中提供的其他參數來接收發射線圈的驅動電壓和操作頻率。一旦確定了來自發射線圈的電磁場,在步驟1008中就可以確定由于這些場而在金屬目標中生成的渦電流。根據渦電流,可以仿真由目標生成的磁場。在步驟1010中,確定由于由發射線圈生成的場和由金屬目標中的感應渦電流生成的場的組合而在接收器線圈中生成的電壓。在步驟1011中,針對目標的現行位置再次執行電感l的計算,以評估l相對于步驟1003的結果的變化。在步驟1012中,存儲響應數據以供將來參考。在步驟1014中,算法704進行檢查以查看掃描是否已經完成。如果未完成,則算法704進行到步驟1018,在步驟1018處,金屬目標的當前位置遞增,然后進行到步驟1004,在步驟1004處開始對該位置的仿真。如果掃描完成,則算法704進行到步驟1016,在步驟1016處,仿真結束,并且算法返回到圖7a所示的算法700的步驟706。仿真和根據仿真對線圈的重新配置(在圖7a中,仿真步驟704、比較步驟706、決策步驟708和設計調整步驟712)應足夠快,以在短時間段內測試大量的線圈設計配置。在通過算法700獲得經優化的線圈設計之前,可以使用數百甚至數千次仿真。因此,存在一些模型簡化,這盡管基本上不影響仿真的準確性。江蘇傳感器線圈定做傳感器線圈推薦,無錫東英電子有限公司值得信賴,詳細可訪問我司官網查看!
但可以提高速度。例如,如果每次仿真需要10秒鐘來完成,則使用100次迭代的優化可能需要16分鐘。然而,如果每次仿真需要10分鐘完成,則同一優化可能需要16個小時來完成。在一些實施例中使用的有效簡化是用一維導線模型來表示用于形成發射線圈和接收器線圈的導電跡線。在與一維導線模型偏離嚴重的情況下,考慮一個具有35μm的高度和。該矩形跡線可以由例如銅的任何非磁性導電材料形成。其他金屬也可以用來形成跡線,但銅更為典型。對于厚度為趨膚深度的大約兩倍的跡線部分,矩形跡線中流動的電流的電流密度可以是非常均勻的。對于銅,在5mhz的頻率下的趨膚深度為30μm。因此,對于上述基準矩形跡線,跡線內的電流密度將是基本上均勻的。圖10b示出由承載電流的一維導線1020生成的場。如果在兩個結構中流動的電流相同,則由導線1020或由一定直徑的直的圓柱體生成的場沒有差異。然而,圖10c示出在基準跡線1022周圍生成的場,基準跡線1022是上述由銅形成的并且具有35μm的高度和。如圖10c所示,即使在小于1mm的短距離處,該場看起來也與圖10b中的由導線1020所生成的場相同。區別在距離跡線小于約1mm的場中。
正弦定向接收器線圈906包括阱908和阱912,并且被連接到引線924。類似地,余弦定向接收器線圈904包括阱910和阱914,并且被耦合到引線926。pcb還可以具有安裝孔918。圖9a示出線圈設計900的平面圖,而圖9b示出線圈設計900的斜視圖,其示出在其上形成線圈設計900的pcb板的兩側上的通孔和跡線。圖9c示出印刷電路板930上的線圈設計900的平面圖。此外,被耦合到引線920、引線924和引線926的控制電路932被安裝在電路板930上。圖9d示出類似于在定位系統400中使用的實際位置的實際位置與在例如算法700的步驟704中通過使用rx電壓通過仿真重構的位置之間的百分比誤差。如圖9d所示,在已經根據算法700優化線圈設計900之后,理論結果與仿真結果之間的百分比誤差小于%。圖9e示出在已經根據算法700優化線圈設計900之后的實際角位置和仿真角位置。圖6也示出在已經應用線性化算法之后經優化的線圈設計900的全標度誤差的百分比。在該標度下,誤差小于%fs。本發明的實施例包括:仿真步驟704,其仿真位置定位系統線圈設計的響應;以及,線圈設計調整算法712,其使用所仿真的響應來調整線圈設計以獲得更好的準確性。如上所述,位置傳感器遭受許多非理想性。首先,tx線圈所產生的磁場高度不均勻。傳感器線圈哪家服務好,無錫東英電子有限公司為您服務!期待您的光臨!
在余弦定向線圈110中,環路120的一半被覆蓋,導致va=-1/2,并且環路122的一半被覆蓋,導致vb=1/2。因此,由va+vb給出的vcos為0。類似地,圖2c示出金屬目標124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此,正弦定向線圈112中的環路116和環路118的一半被金屬目標124覆蓋,而余弦定向環路110中的環路122被金屬目標124覆蓋。因此va=-1、vb=0、vc=1/2、vd=-1/2、以及ve=0。結果,vsin=0且vcos=-1。圖2d示出vcos和vsin相對于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓撲的金屬目標124的角位置的曲線圖。如圖2d所示,可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示,通過從定義的初始位置到定義的結束位置對目標進行掃描,將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標124相對于接收線圈104的角位置可以根據來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定,如圖2e所示。制作傳感器線圈的材料是什么;工程傳感器線圈問答知識
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圖2b示出金屬目標124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于90°位置。如圖2b所示,在正弦定向線圈112中,金屬目標124完全覆蓋環路116,并且使環路114和環路118未被覆蓋。結果,vc=1/2、vd=0、以及ve=1/2,因此vsin=vc+vd+ve=1。類似地,在余弦定向線圈110中,環路120的一半被覆蓋,導致va=-1/2,并且環路122的一半被覆蓋,導致vb=1/2。因此,由va+vb給出的vcos為0。類似地,圖2c示出金屬目標124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此,正弦定向線圈112中的環路116和環路118的一半被金屬目標124覆蓋,而余弦定向環路110中的環路122被金屬目標124覆蓋。因此va=-1、vb=0、vc=1/2、vd=-1/2、以及ve=0。結果,vsin=0且vcos=-1。圖2d示出vcos和vsin相對于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓撲的金屬目標124的角位置的曲線圖。如圖2d所示,可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示,通過從定義的初始位置到定義的結束位置對目標進行掃描,將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標124相對于接收線圈104的角位置可以根據來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定,如圖2e所示。工程傳感器線圈問答知識
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